Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.8@10V@Q 1|3.4@10V@Q 2 |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | Power 56 |
| 最大功率耗散 | 2300 |
| 最大连续漏极电流 | 16@Q 1|18@Q 2 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A, 18A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN (5X6), Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.8 mOhm @ 16A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1765pF @ 13V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMS3615SCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.05mm |
| 身高 | 1.05mm |
| 长度 | 5.1mm |
| 最大连续漏极电流 | 88 (Transistor 2) A, 89 (Transistor 1) A |
| 最大漏源电阻 | 4.6 (Transistor 2) mΩ, 7.9 (Transistor 1) mΩ |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.3 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | PQFN |
| 典型栅极电荷@ VGS | 19 nC V @ 10 (Transistor 1), 31 nC V @ 10 (Transistor 2) |
| 典型输入电容@ VDS | 1326 pF @ 13 V (Transistor 1), 2175 pF @ 13 V (Transistor 2) |
| 典型关闭延迟时间 | 19 (Transistor 1) ns, 24 (Transistor 2) ns |
| 典型导通延迟时间 | 7.7 (Transistor 1) ns, 9.5 (Transistor 2) ns |
| 宽度 | 6.1mm |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 2.3 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 25 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 系列 | PowerTrench® |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1765pF @ 13V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 5.8 mOhm @ 16A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5.1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1326 pF@ 13 V, 2175 pF@ 13 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 4.6 mΩ，7.9 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2.3 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.1mm |
| 尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.05mm |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 典型接通延迟时间 | 7.7 (Q1) ns, 9.5 (Q2) ns |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns, 24 ns |
| 封装类型 | PQFN |
| 最大连续漏极电流 | 88 A，89 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 串行 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V，31 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | Power-56-8 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.7 V |
| Qg - Gate Charge | 19 nC, 31 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 1.4 ns, 2.2 nS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | Power Stage PowerTrench SyncFet |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 63 S, 84 S |
| Id - Continuous Drain Current | 16 A, 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 mOhms, 3.4 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | FDMS3615S |
| Pd - Power Dissipation | 2.3 W, 1 W |
| 上升时间 | 1.7 ns, 3 nS |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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