fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 56 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 15@Q 1|26@Q 2 A |
| RDS -于 | 5.6@10V@Q 1|2.2@10V@Q 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.9@Q 1|12@Q 2 ns |
| 典型上升时间 | 2@Q 1|4.2@Q 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19@Q 1|31@Q 2 ns |
| 典型下降时间 | 1.8@Q 1|3.2@Q 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A, 26A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1680pF @ 13V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMS3602SCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Triple Drain |
| 外形尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm |
| 身高 | 1.05mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 3.9 (Transistor 2) mΩ, 8.7 (Transistor 1) mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.2 (Transistor 1) W, 2.5 (Transistor 2) W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装类型 | Power 56 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 19 nC V @ 0 → 10 (Transistor 1), 45 nC V @ 0 → 10 (Transistor 2) |
| 典型输入电容@ VDS | 1264 pF @ 13 V (Transistor 1), 3097 pF @ 13 V (Transistor 2) |
| 宽度 | 6mm |
| 晶体管极性 | :Dual N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :30A |
| Drain Source Voltage Vds | :25V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0044ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.8V |
| 功耗 | :2.2W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :Power 56 |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.003 |
| Tariff No. | 85415000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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