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厂商型号:

FDML7610S

芯天下内部编号:
3-FDML7610S
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8MLP EP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 12@Q 1|17@Q 2 A
RDS -于 7.5@10V@Q 1|4.2@10V@Q 2 mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 8.6@Q 1|13@Q 2 ns
典型上升时间 2.5@Q 1|4@Q 2 ns
典型关闭延迟时间 20@Q 1|31@Q 2 ns
典型下降时间 2.3@Q 1|3.1@Q 2 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
包装高度 0.75(Max)
最大功率耗散 2100@Q 1|2200@Q 2
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 7.5@10V@Q 1|4.2@10V@Q 2
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 2
包装宽度 4.5
供应商封装形式 MLP EP
包装长度 3
PCB 8
最大连续漏极电流 12@Q 1|17@Q 2
引脚数 8
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A, 17A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 8-MLP (3x4.5)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.5 mOhm @ 12A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 800mW, 900mW
输入电容(Ciss ) @ VDS 1750pF @ 15V
其他名称 FDML7610STR
闸电荷(Qg ) @ VGS 28nC @ 10V
封装/外壳 8-MLP
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Triple Drain
外形尺寸 3 x 4.5 x 0.75mm
身高 0.75mm
长度 3mm
最大漏源电阻 12 (Transistor 1) mΩ, 6 (Transistor 2) mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2.1 (Transistor 1) W, 2.2 (Transistor 2) W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 MLP
典型栅极电荷@ VGS 20 nC V @ 0 → 10 (Transistor 1), 43 nC V @ 0 → 10 (Transistor 2)
典型输入电容@ VDS 1315 pF @ 15 V (Transistor 1), 2960 pF @ 15 V (Transistor 2)
宽度 4.5mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 30 A
系列 FDML7610S
单位重量 0.010582 oz
RDS(ON) 7.5 mOhms
功率耗散 2.2 W
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 MLP 3 x 4.5
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 20 nC, 43 nC
Continuous Drain Current Id :28A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
功耗 :2.2W
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900

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