fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 33 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 16 A |
| RDS -于 | 5.9@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 3 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 典型下降时间 | 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | Power 33 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 5.9@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | Power 33 |
| 最大功率耗散 | 2300 |
| 最大连续漏极电流 | 16 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A (Ta), 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | Power33 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.9 mOhm @ 14.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 封装/外壳 | 8-PQFN, Power33 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1935pF @ 15V |
| 其他名称 | FDMC8676TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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