fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 33 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 56@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 5.9 ns |
| 典型上升时间 | 1.6 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 10.2 ns |
| 典型下降时间 | 2.2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 56@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | Power 33 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta), 16A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | 8-MLP (3.3X3.3), Power33 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 56 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 402pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7.3nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMC8622CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 3.3 x 3.3 x 0.75mm |
| 身高 | 0.75mm |
| 长度 | 3.3mm |
| 最大漏源电阻 | 98 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 31 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | MLP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 5.2 nC V @ 0 → 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 302 pF V @ 50 |
| 宽度 | 3.3mm |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :16A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0437ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.9V |
| 功耗 | :31W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :MLP |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85423990 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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