fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 33 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| RDS -于 | 24@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.1 ns |
| 典型上升时间 | 2.3 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 典型下降时间 | 2.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 24@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | Power 33 |
| 最大功率耗散 | 2300 |
| 最大连续漏极电流 | 7 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A (Ta), 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | 8-MLP (3.3X3.3), Power33 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 24 mOhm @ 6.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1290pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMC86102LZCT |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 2.3 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | Power 33 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :22A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :0.019ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.6V |
| 功耗 | :41W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :MLP |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.01 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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