fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 33 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 16.5 A |
| RDS -于 | 5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 3 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16.5A (Ta), 40A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN (3.3X3.3), Power33 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 mOhm @ 17A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.4W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1228pF @ 13V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMC8588CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 17 A |
| 系列 | FDMC8588 |
| 单位重量 | 0.001133 oz |
| RDS（ON） | 5.7 mOhms |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | PQFN-8 |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 12 nC |
| 高度 | 1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 3.4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1228 pF @ 13 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 6.9 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 26 W |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 宽度 | 3.4mm |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns |
| 封装类型 | Power 33 |
| 最大连续漏极电流 | 16.5 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Qg - Gate Charge | 12 nC |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 2.4 W |
| 身高 | 0.8 mm |
| 长度 | 3.3 mm |
| 商品名 | PowerTrench |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.7 mOhms |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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