所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8MLP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 12.5 A |
| RDS -于 | 9.3@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 3 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.3@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | MLP |
| 最大功率耗散 | 2300 |
| 最大连续漏极电流 | 12.5 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12.5A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 1mA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-MLP (3.3x3.3) |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 9.3 mOhm @ 12.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1385pF @ 15V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 23nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-MLP, Power33 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMC7692SCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 3.3 x 3.3 x 0.75mm |
| 身高 | 0.75mm |
| 长度 | 3.3mm |
| 最大漏源电阻 | 13.6 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 27 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | MLP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 16 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1040 pF V @ 15 |
| 宽度 | 3.3mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 18 A |
| 系列 | FDMC7692S |
| 封装/外壳 | MLP-8 |
| 单位重量 | 0.007055 oz |
| RDS(ON) | 10.8 mOhms |
| 功率耗散 | 2.3 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 正向跨导 - 闵 | 62 S |
| 上升时间 | 3 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Qg - Gate Charge | 8 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | Power Trench SyncFET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench SyncFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.8 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 2.3 W |
| 技术 | Si |
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