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Thumbnail FDMC7672S Thumbnail FDMC7672S Thumbnail FDMC7672S Thumbnail FDMC7672S Thumbnail FDMC7672S
厂商型号:

FDMC7672S

芯天下内部编号:
3-FDMC7672S
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8MLP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 14.8 A
RDS -于 6@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型上升时间 4 ns
典型关闭延迟时间 26 ns
典型下降时间 3 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
Maximum Drain Source Resistance 6@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 MLP
最大功率耗散 2300
最大连续漏极电流 14.8
引脚数 8
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 14.8A (Ta), 18A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 8-MLP (3.3x3.3)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 6 mOhm @ 14.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.3W
输入电容(Ciss ) @ VDS 2520pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 42nC @ 10V
封装/外壳 8-MLP
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDMC7672SCT
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain, Single, Triple Source
外形尺寸 3.3 x 3.3 x 0.75mm
身高 0.75mm
长度 3.3mm
最大漏源电阻 9 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 36 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 MLP
典型栅极电荷@ VGS 30 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1895 pF V @ 15
宽度 3.3mm
工厂包装数量 3000
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 14.8 A
封装/外壳 MLP 3.3 x 3.3
下降时间 3 ns
单位重量 0.007055 oz
正向跨导 - 闵 78 S
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 20 V
系列 FDMC7672S
RDS(ON) 5 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 36 W
上升时间 4 ns
漏源击穿电压 30 V
栅极电荷Qg 30 nC
Continuous Drain Current Id :18A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.005ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.6V
功耗 :36W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :MLP
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85423190
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 14.8A (Ta), 18A (Tc)

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