fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6MLP EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| RDS -于 | 40@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.3 ns |
| 典型上升时间 | 7.1 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 18.1 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 40@4.5V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | MLP EP |
| 最大功率耗散 | 900 |
| 最大连续漏极电流 | 5 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | MicroFET 2x2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 40 mOhm @ 5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.4W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 800pF @ 10V |
| 其他名称 | FDMA430NZTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single |
| 外形尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm |
| 身高 | 0.75mm |
| 长度 | 2mm |
| 最大漏源电阻 | 61 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.4 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | MicroFET |
| 典型栅极电荷@ VGS | 7.3 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 600 pF V @ 10 |
| 宽度 | 2mm |
| 漏极电流（最大值） | 5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �12 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 0.9 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.04 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 5 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :5A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :23.6mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :810mV |
| 功耗 | :2.4W |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :µFET |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :5A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :810mV |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :4.5V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
