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厂商型号:

FDMA420NZ

芯天下内部编号:
3-FDMA420NZ
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6MicroFET
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 5.7 A
RDS -于 30@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 9.8 ns
典型上升时间 8.6 ns
典型关闭延迟时间 21.5 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 MicroFET
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 30@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 MicroFET
最大功率耗散 900
最大连续漏极电流 5.7
引脚数 6
FET特点 Logic Level Gate, 2.5V Drive
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.7A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 MicroFET 2x2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 30 mOhm @ 5.7A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.4W
输入电容(Ciss ) @ VDS 935pF @ 10V
其他名称 FDMA420NZTR
闸电荷(Qg ) @ VGS 12nC @ 4.5V
封装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain, Single
外形尺寸 2 x 2 x 0.75mm
身高 0.75mm
长度 2mm
最大漏源电阻 44 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2.4 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 MicroFET
典型栅极电荷@ VGS 8.8 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 701 pF V @ 10
宽度 2mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 5.7 A
系列 FDMA420NZ
单位重量 0.001058 oz
RDS(ON) 30 mOhms
功率耗散 0.9 W
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 MicroFET
上升时间 8.6 ns
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 8.6 ns
栅源电压(最大值) �12 V
漏源导通电阻 0.03 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :5.7A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.0168ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :830mV
功耗 :2.4W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :µFET
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.0025
Tariff No. 85412900

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