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厂商型号:

FDG6332C_F085

芯天下内部编号:
3-FDG6332C-F085
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6SC-70
渠道类型 N|P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 0.7@Q 1|0.6@Q 2 A
RDS -于 300@4.5V@Q 1|420@4.5V@Q 2 mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 5@Q 1|5.5@Q 2 ns
典型上升时间 7@Q 1|14@Q 2 ns
典型关闭延迟时间 9@Q 1|6@Q 2 ns
典型下降时间 1.5@Q 1|1.7@Q 2 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 700mA, 600mA
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 SC-70-6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
FET型 N and P-Channel
功率 - 最大 300mW
输入电容(Ciss ) @ VDS 113pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 1.5nC @ 4.5V
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
晶体管极性 N and P-Channel
连续漏极电流 700 mA, - 600 mA
封装/外壳 SC-70-6
下降时间 1.5 nS, 1.7 nS
产品种类 MOSFET
单位重量 0.000988 oz
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 2.8 S, 1.8 S
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 12 V
系列 FDG6332C
RDS(ON) 300 mOhms at 4.5 V at Q1, 420 mOhms at 4.5 V at Q2
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 300 mW
最低工作温度 - 55 C
上升时间 7 nS, 14 nS
漏源击穿电压 +/- 20 V
栅极电荷Qg 1.1 nC, 1.4 nC
栅源电压(最大值) �12 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SC-70
引脚数 6
极性 N/P
类型 Power MOSFET
元件数 2
工作温度分类 Military
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :700mA
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.18ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.1V
功耗 :300mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SC-70
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.01
Tariff No. 85412100

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