fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 70 A |
| RDS -于 | 16.3@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 82 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 9.6 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 79000 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 16.3@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-252 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.39(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 70 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 70A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.7 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 79W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4050pF @ 25V |
| 其他名称 | FDD8445TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 59nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 身高 | 2.39mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大漏源电阻 | 0.016 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 79 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-252 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 45 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3040 pF V @ 25 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 70 A |
| 系列 | FDD8445 |
| 单位重量 | 0.009184 oz |
| RDS（ON） | 8.7 mOhms |
| 功率耗散 | 79 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| 上升时间 | 82 ns |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 9.6 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.0163 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :15.2A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :6.7mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.8V |
| 功耗 | :79W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Alternate Case Style | :TO-252 |
| Application Code | :GP |
| Current Id Max | :70A |
| Current Temperature | :25°C |
| 外部深度 | :10.5mm |
| External Length / Height | :2.55mm |
| 外宽 | :6.8mm |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :1.9°C/W |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Pulse Current Idm | :85A |
| Reverse Recovery Time trr Typ | :39ns |
| SMD Marking | :FDD8445 |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :40V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
| Voltage Vgs th Min | :2V |
| Weight (kg) | 0.003 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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