fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 17.7 A |
| RDS -于 | 7.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 典型下降时间 | 3 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5@10V |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 3700 |
| 最大连续漏极电流 | 17.7 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17.7A (Ta), 30A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 mOhm @ 17.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1490pF @ 13V |
| 其他名称 | FDD6776ATR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 29nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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