Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 70000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 8@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-252AA |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 76 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 76A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 mOhm @ 13.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1580pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDD6670ASCT |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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