fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SuperSOT |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A |
| RDS -于 | 26@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 典型下降时间 | 7 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1(Max) |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 26@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 1.7(Max) |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| Package Length | 3(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 26 mOhm @ 6.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1460pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 21nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 系列 | * |
| 其他名称 | FDC645NCT |
| 漏极电流（最大值） | 5.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �12 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 1.6 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.026 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SuperSOT |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 5.5 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :5.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :26mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.4V |
| 功耗 | :1.6W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SuperSOT |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :5.5A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :20A |
| SMD Marking | :FDC645N |
| Uni / Bi Directional Polarity | :N |
| Voltage Vds | :30V |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :12V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :2V |
| Weight (kg) | 0.000016 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Ta) |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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