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Thumbnail FDC6401N Thumbnail FDC6401N Thumbnail FDC6401N Thumbnail FDC6401N Thumbnail FDC6401N Thumbnail FDC6401N
厂商型号:

FDC6401N

芯天下内部编号:
3-FDC6401N
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6SuperSOT
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 3 A
RDS -于 70@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 5 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 13 ns
典型下降时间 1.6 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 70@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 2
供应商封装形式 SuperSOT
最大功率耗散 960
最大连续漏极电流 3
引脚数 6
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 6-SSOT
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 70 mOhm @ 3A, 4.5V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 700mW
输入电容(Ciss ) @ VDS 324pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 4.6nC @ 4.5V
封装/外壳 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDC6401NCT
工厂包装数量 3000
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 3 A
封装/外壳 SSOT-6
零件号别名 FDC6401N_NL
下降时间 7 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.001270 oz
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 10 S
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 12 V
系列 FDC6401N
RDS(ON) 70 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 0.96 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 7 ns
漏源击穿电压 20 V
Continuous Drain Current Id :3A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.05ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :900mV
功耗 :960mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SuperSOT
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.01
Tariff No. 85412900
Continuous Drain Current Id, N Channel :3A
Current Id Max :3A
Drain Source Voltage Vds, N Channel :20V
Module Configuration :Dual
On Resistance Rds(on), N Channel :0.05ohm
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :900mV
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

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