Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -65 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 6.5@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 68000 |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 800 |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 68W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2440pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 33nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 80 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 68 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.0065 ohm |
| 工作温度范围 | -65C to 175C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
