Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 400 mOhm @ 5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 31W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1580pF @ 25V |
| 其他名称 | FCPF400N60-ND |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 38nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 类别 | High Voltage MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.36 x 4.9 x 16.07mm |
| 身高 | 16.07mm |
| 长度 | 10.36mm |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| 最大漏源电阻 | 0.4 Ω |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大门源电压 | 30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 31 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-220F |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 28 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 1180 pF @ 25 V |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 宽度 | 4.9mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 系列 | FCPF400N60 |
| 单位重量 | 0.080072 oz |
| RDS（ON） | 400 mOhms |
| 功率耗散 | 31 W |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :10A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :0.35ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.5V |
| 功耗 | :31W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220F |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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