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厂商型号:

FCP22N60N

芯天下内部编号:
3-FCP22N60N
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 22 A
RDS -于 165@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 16.9 ns
典型上升时间 16.7 ns
典型关闭延迟时间 49 ns
典型下降时间 4 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
Maximum Drain Source Resistance 165@10V
最大漏源电压 600
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220AB
最大功率耗散 205000
最大连续漏极电流 22
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 22A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 TO-220
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 165 mOhm @ 11A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 205W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1950pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 45nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 10.67 x 4.83 x 9.4mm
身高 9.4mm
长度 10.67mm
最大漏源电阻 0.14 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 204 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-220
典型栅极电荷@ VGS 45 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1950 pF V @ 100
宽度 4.83mm
工厂包装数量 50
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 22 A
封装/外壳 TO-220AB
下降时间 4 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.063493 oz
正向跨导 - 闵 22 S
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 30 V
系列 FCP22N60N
RDS(ON) 140 mOhms
安装风格 Through Hole
功率耗散 205 W
上升时间 16.7 ns
漏源击穿电压 600 V
栅源电压(最大值) �30 V
漏源导通电阻 0.165 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 600 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :22A
Drain Source Voltage Vds :600V
On Resistance Rds(on) :0.14ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :205W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.00195
Tariff No. 85412900

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