fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-126 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 A |
| 最小直流电流增益 | 63@150mA@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1250 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-225-AA |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1250 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 45 |
| 供应商封装形式 | TO-126 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.5A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | TO-126 |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 63 @ 150mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 单位重量 | 0.026843 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 45 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 1.5 A |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 系列 | BD136 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 45 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 45 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 45 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-126 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 63 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 63 |
| 集电极电流（DC ） | 1.5 A |
| 长度 | 8mm |
| 最大直流集电极电流 | 1.5 A |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 高度 | 11mm |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 宽度 | 3.25mm |
| 封装类型 | TO-126 |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 25 |
| 尺寸 | 8 x 3.25 x 11mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | -45 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 8 mm |
| 身高 | 11 mm |
| Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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