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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MPSH/MMBTH_11 |
| 文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 频率转换 | 650MHz |
| 噪声系数（dB的典型@ F） | - |
| 增益 | - |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 60 @ 4mA, 10V |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 50mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 |
| 最小直流电流增益 | 60@4mA@10V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大基地发射极电压 | 3 |
| Maximum Transition Frequency | 650(Min) |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 650MHz |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 4mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 最大工作频率 | 650 MHz |
| 单位重量 | 0.006878 oz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.05 A |
| 集电极电流（DC ） | 0.05 A |
| 集电极 - 基极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 25 V |
| 发射极 - 基极电压 | 3 V |
| 频率 | 650 MHz |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 60 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 - 跃迁 | 650MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 4mA, 10V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 25V |
| associated | 80-4-5 |
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