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厂商型号

FQP2N60 

产品描述

MOSFET

内部编号

3-FQP2N60

#1

数量:85345
1+¥9.4771
25+¥8.7837
100+¥8.4755
500+¥8.0902
1000+¥7.705
最小起订金额:¥₩600
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#2

数量:0
最小起订量:1
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FQP2N60产品详细规格

规格书 FQP2N60 datasheet 规格书
FQP2N60C, FQPF2N60C
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.4A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.7 Ohm @ 1.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 11nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 350pF @ 25V
功率 - 最大 64W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube

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