图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 500V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 600mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 600mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 频率转换 | 15MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220F |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 500 V |
| 集电极最大直流电流 | 5 A |
| 最小直流电流增益 | 20@600mA@5V |
| 最大工作频率 | 15(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.6A@3A V |
| 最大集电极基极电压 | 800 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 40000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 15(Typ) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 800 |
| 供应商封装形式 | TO-220F |
| 最大集电极发射极电压 | 500 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 15MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 600mA, 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 600mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 零件号别名 | FJPF5021OTU_NL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 15 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 |
| 单位重量 | 0.080072 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 500 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 连续集电极电流 | 5 A |
| 增益带宽产品fT | 15 MHz |
| 系列 | FJPF5021 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 800 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 800 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 500 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 频率 | 15 MHz |
| 功率耗散 | 40 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220F |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 20 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 5 A |
| 频率 - 跃迁 | 15MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1V @ 600mA, 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 600mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 功率 - 最大值 | 40W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 500V |
| 最高工作频率 | 15 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 5 A |
| 长度 | 10.16mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 高度 | 15.87mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 宽度 | 4.7mm |
| 封装类型 | TO-220F |
| 最大集电极-发射极电压 | 500 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 8 |
| 尺寸 | 10.16 x 4.7 x 15.87mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | 800 V |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 10.16 mm |
| 身高 | 9.19 mm |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
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