fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Power 56 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 12@Q 1|22@Q 2 A |
| RDS -于 | 7.5@Q 1|2.8@Q 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.6@Q 1|18@Q 2 ns |
| 典型上升时间 | 2.5@Q 1|7.6@Q 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20@Q 1|45@Q 2 ns |
| 典型下降时间 | 2.3@Q 1|5.2@Q 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 6 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5@Q 1|2.8@Q 2 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | Power 56 |
| 标准包装名称 | Power 56 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5 |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 0.7(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 12@Q 1|22@Q 2 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 30A, 40A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1750pF @ 15V |
| 其他名称 | FDMS7600ASTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 28nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PQFN, Power56 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual, Triple Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 6 x 0.7mm |
| 身高 | 0.7mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 12 (Transistor 1) mΩ, 3.8 (Transistor 2) mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1 (Transistor 2) W, 2.5 (Transistor 1) W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | Power 56 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 20 nC @ 10 V (Transistor 1), 81 nC @ 10 V (Transistor 2) |
| 典型输入电容@ VDS | 1315 pF @ 15 V (Transistor 1), 5265 pF @ 15 V (Transistor 2) |
| 宽度 | 6mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 12 A, 22 A |
| 系列 | FDMS7600AS |
| 封装/外壳 | Power 56 |
| 单位重量 | 0.007443 oz |
| 功率耗散 | 1 W |
| 下降时间 | 2.3 ns, 5.2 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 正向跨导 - 闵 | 63 S, 190 S |
| 上升时间 | 2.5 ns, 7.6 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 20 nC, 81 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 0.7mm |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1315 pF @ 15 V（晶体管 1），5265 pF @ 15 V（晶体管 2） |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 3.8 mΩ，12 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1 W，2.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6mm |
| 尺寸 | 5 x 6 x 0.7mm |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 18（晶体管 2）ns，8.6（晶体管 1）ns |
| 典型关断延迟时间 | 20（晶体管 1）ns，45（晶体管 2）ns |
| 封装类型 | Power 56 |
| 最大连续漏极电流 | 50 A，120 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V，81 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V, 1.5 V |
| Qg - Gate Charge | 20 nC, 81 nC |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | PowerTrench SyncFET |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 30 A, 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5 mOhms, 2.8 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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