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图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
期货 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 40 @ 10µA, 5V |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 频率转换 | 150MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 |
| 最小直流电流增益 | 40@10uA@5V|80@100mA@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 150(Min) |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 10µA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :50V |
| 功耗 | :350mW |
| DC Collector Current | :200mA |
| DC Current Gain hFE | :80 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :250mV |
| 连续集电极电流Ic最大 | :200mA |
| Current Ic Continuous a Max | :200mA |
| Current Ic hFE | :2mA |
| Device Marking | :BC182B |
| Gain Bandwidth ft Min | :150MHz |
| Gain Bandwidth ft Typ | :200MHz |
| Hfe Min | :240 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 引脚配置 | :f |
| Power Dissipation Ptot Max | :625mW |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vcbo | :60V |
| Weight (kg) | 0.0002 |
| Tariff No. | 85412900 |
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