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fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 140 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 最小直流电流增益 | 60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V |
| 最大工作频率 | 300 MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.15@1mA@10mA|0.25@5mA@50mA V |
| 最大集电极基极电压 | 160 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 300 |
| 封装 | Ammo |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 160 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 140 |
| 铅形状 | Formed |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 5mA, 50mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 140V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 10mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 系列 | * |
| 其他名称 | 2N5550TARCT |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 零件号别名 | 2N5550TAR_NL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 单位重量 | 0.006279 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 140 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.6 A |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 160 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.6 A |
| 集电极 - 基极电压 | 160 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 140 V |
| 发射极 - 基极电压 | 6 V |
| 频率 | 300 MHz |
| 功率耗散 | 0.625 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 60 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 0.6 A |
| 宽度 | 3.93 mm |
| 长度 | 4.7 mm |
| 身高 | 4.7 mm |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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