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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大的基射极饱和电压 | 2@0.5mA@500mA |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最小直流电流增益 | 10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|1400... |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 最大基地发射极电压 | 12 |
| 封装 | Bulk |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1.2 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@0.5mA@50mA|1.5@0.5mA@500mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.2A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 500µA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 14000 @ 500mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1.2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 | 12 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 2 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 直流电流增益 | 10000 |
| 集电极电流（DC ） | 1.2 A |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 500µA, 500mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 14000 @ 500mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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