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规格书 |
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文档 |
Multiple Devices 28/Aug/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 23 mOhm @ 8A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 8.7nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 870pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-WSOF |
供应商器件封装 | 8-VSOF |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8VSOF |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 8 A |
RDS -于 | 23@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 9.2 ns |
典型上升时间 | 3.4 ns |
典型关闭延迟时间 | 31.7 ns |
典型下降时间 | 5.3 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
封装/外壳 | 8-WSOF |
供应商设备封装 | 8-VSOF |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 23 mOhm @ 8A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.1W |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 870pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 8.7nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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