NP82N03PUG-E1-AZ

产品描述

MOSFET N-CH 30V 82A TO-263

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规格书	NP82N03PUG
文档	Multiple Devices 28/Aug/2013 Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	82A
Rds（最大）@ ID，VGS	2.8 mOhm @ 41A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	160nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	9080pF @ 25V
功率 - 最大	1.8W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	TO-263
包装材料	Tape & Reel (TR)
FET特点	Standard
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	82A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装	TO-263
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	2.8 mOhm @ 41A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.8W
标准包装	1,000
漏极至源极电压（Vdss）	30V
输入电容（Ciss ） @ VDS	9080pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	160nC @ 10V

型号	厂家	产品描述
NP82N03PUG-E1-AY	renesas electronics	Trans MOSFET N-CH 30V 82A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
NP82N04MDG-S18-AY	renesas electronics	Trans MOSFET N-CH 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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NP82N04PUG-E1-AZ	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
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