renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 5LFPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 55 A |
| RDS -于 | 3.3@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 65 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 典型下降时间 | 9.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 3.95 |
| PCB | 4 |
| 最大功率耗散 | 30000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.3@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | LFPAK |
| 标准包装名称 | LFPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 4.9 |
| 引脚数 | 5 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 30W |
| 匹配代码 | HAT2165H-EL-E |
| R（ THJC ） | 4.17K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 22 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| Q（克） | 33nC |
| LLRDS （上） | 0.0053Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 30A |
| V（ DS ） | 30V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0079Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 55A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 封装/外壳 | SC-100, SOT-669 |
| 供应商设备封装 | LFPAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5180pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 33nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 55 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 30 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.0033 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | LFPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 55 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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