ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| P（ TOT ） | 0.15W |
| 匹配代码 | UMX5N |
| I（C ） | 0.05A |
| V（ CEO ） | 11V |
| 包装 | SOT363 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 16 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 120 |
| V（ CBO ） | 20V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 3.2GHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 5mA, 10mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 11V |
| 供应商设备封装 | UMT6 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 56 @ 5mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | UMX5NCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 增益带宽产品fT | 3.2 GHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 56 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 11 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 A |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 50 mA |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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