ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 8000 |
| 最小起订量 | 8000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA (ICBO) |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 1mA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | EMT6 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 1mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | EMH4T2RCT |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN |
| 典型输入电阻 | 10 KOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA (ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA, 5V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 系列 | EMH4 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| 直流电流增益hFE最大值 | 600 |
| 身高 | 0.5 mm |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 长度 | 1.6 mm |
| 连续集电极电流 | 100 mA |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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