所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) | 10k |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 1mA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
| 供应商设备封装 | EMT6 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 1mA, 5V |
| 其他名称 | EMB4T2RCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | PNP |
| 典型输入电阻 | 10 KOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | EMB4 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 身高 | 0.5 mm |
| 长度 | 1.6 mm |
| 连续集电极电流 | 100 mA |
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