ROHM Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 300mA |
| 供应商设备封装 | EMT5 |
| 其他名称 | EM5K5T2RTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 600 mOhm @ 300mA, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 封装/外壳 | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 0.3 A |
| 功率耗散 | 0.15 W |
| 封装/外壳 | EMT6 |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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