1. 2SC4618TLN
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2SC4618TLN 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN

内部编号

293-2SC4618TLN

生产厂商

ROHM Semiconductor

rohm

#1

数量:2388
1+¥2.4616
10+¥1.8804
100+¥1.0188
1000+¥0.7658
3000+¥0.6564
9000+¥0.6086
24000+¥0.5607
45000+¥0.5402
99000+¥0.5128
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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2SC4618TLN产品详细规格

规格书 2SC4618TLN datasheet 规格书
2SC5659(4618/4098/2413K/2058S)
2SC4618TLN datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
频率转换 300MHz
噪声系数(dB的典型@ F) -
增益 -
功率 - 最大 150mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 82 @ 1mA, 6V
- 集电极电流(Ic)(最大) 50mA
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-75, SOT-416
供应商器件封装 EMT3
包装材料 Tape & Reel (TR)
单位包 3000
最小起订量 3000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 EMT3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 150mW
封装/外壳 SC-75, SOT-416
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 82 @ 1mA, 6V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 2SC4618TLNCT
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 300 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 150 mW
直流集电极/增益hfe最小值 56 at 1 mA at 6 V
直流电流增益hFE最大值 56 at 1 mA at 6 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 25 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 0.05 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极 - 发射极饱和电压 100 mV
系列 2SC4618
Pd - Power Dissipation 150 mW
身高 0.7 mm
长度 1.6 mm
品牌 ROHM Semiconductor

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