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规格书 |
![]() 2SD2177 View all Specifications |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 50mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 120 @ 200mA, 2V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 110MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | 3-SIP |
供应商器件封装 | MT-2-A1 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 110MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 50mA, 1A |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | MT-2-A1 |
封装 | Tape & Box (TB) |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | 3-SIP |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 120 @ 200mA, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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