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厂商型号

AOTF7N70 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 700V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F

内部编号

28-AOTF7N70

#1

数量:10001
最小起订量:1
香港
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#2

数量:10001
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AOTF7N70产品详细规格

规格书 AOTF7N70 datasheet 规格书
AOT(F)7N70(L)
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 700V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 7A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 25nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1175pF @ 25V
功率 - 最大 38.5W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
最大门源电压 ±30
安装 Through Hole
包装宽度 4.7
PCB 3
最大功率耗散 38500
最大漏源电压 700
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 1800@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220F
标准包装名称 TO-220F
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.16
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 15.87
最大连续漏极电流 7
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 250µA
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
供应商设备封装 TO-220F
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 38.5W
标准包装 50
漏极至源极电压(Vdss) 700V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1175pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 25nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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