所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 15A (Ta), 180A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.9W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 7820pF @ 40V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 140nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 180A |
| 功率 - 最大值 | 333W |
| 漏源极电压 (Vdss) | 80V |
| 栅极电压 (±V) | 25 |
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