ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 5.8 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 6160 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO-FL |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 4.9 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.05(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 16.7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.7A (Ta), 48A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 920mW |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1264pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 21.5nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 48 A |
| 正向跨导 - 闵 | 52 S |
| RDS（ON） | 6.4 mOhms |
| 功率耗散 | 23.2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 10.8 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 16.4 ns |
| 上升时间 | 32.7 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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