on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3IPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| RDS -于 | 4800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 30 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 4800@10V |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最大功率耗散 | 57000 |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 57W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 274pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10.1nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain, Single |
| 外形尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm |
| 身高 | 7.62mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大漏源电阻 | 4.8 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 57 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | IPAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 10 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 274 pF V @ 25 |
| 宽度 | 2.38mm |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 1.4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 1.7 S |
| RDS（ON） | 4 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 57 W |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 10.1 nC |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 274pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10.1nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 功率 - 最大值 | 57W |
| 高度 | 7.62mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 274 pF@ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 Ω |
| 通道类型 | N |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 57 W |
| 最大栅源电压 | 30 V |
| 宽度 | 2.38mm |
| 尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns |
| 封装类型 | IPAK |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4 Ohms |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 1.4 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | 10.1 nC |
| Pd - Power Dissipation | 57 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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