on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| RDS -于 | 700@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.8 ns |
| 典型上升时间 | 29 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 典型下降时间 | 20 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 50000 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 700@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 2.38(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 700 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 480pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 21nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MTD6N20ET4GOSCT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6 A |
| 正向跨导 - 闵 | 1.5 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 460 mOhms |
| 功率耗散 | 50 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 上升时间 | 29 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 20 ns |
| 漏极电流（最大值） | 6 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.7 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 200 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :6A |
| Drain Source Voltage Vds | :200V |
| On Resistance Rds(on) | :700mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :50W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Alternate Case Style | :D-PAK |
| Current Id Max | :6A |
| Current Temperature | :25°C |
| 外部深度 | :10.5mm |
| External Length / Height | :2.55mm |
| 外宽 | :6.8mm |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :18A |
| SMD Marking | :6N20E |
| Voltage Vds Typ | :200V |
| Voltage Vgs Max | :3V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.0004 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Reel Quantity | :2500 |
| 胶带宽度 | :16mm |
| 端接类型 | :SMD |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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