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规格书 |
NTD65N03R |
文档 |
Multiple Devices 11/Jul/2008 |
产品更改通知 | LTB Notification |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 16nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1400pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1.3W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
最大漏源电阻 | 8.4@10V |
最大漏源电压 | 25 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | IPAK |
最大功率耗散 | 1880 |
最大连续漏极电流 | 11.4 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9.5A (Ta), 32A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商设备封装 | I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.3W |
标准包装 | 75 |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1400pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 16nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1400pF @ 20V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 5V |
FET 功能 | Logic Level Gate |
FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
功率 - 最大值 | 1.3W |
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