NTD65N03R-035

产品描述

MOSFET 25V 65A N-Channel

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规格书	NTD65N03R
文档	Multiple Devices 11/Jul/2008
产品更改通知	LTB Notification
标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	25V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	9.5A
Rds（最大）@ ID，VGS	8.4 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	16nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1400pF @ 20V
功率 - 最大	1.3W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装	I-Pak
包装材料	Tube
产品种类	MOSFET
RoHS	No
晶体管极性	N-Channel
漏源击穿电压	25 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	65 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.0097 Ohms
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole
封装/外壳	IPAK-3
封装	Tube
正向跨导gFS （最大值/最小值）	27 S
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	50 W
工厂包装数量	75
典型关闭延迟时间	20.3 ns
寿命	Obsolete
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	9.5A (Ta), 32A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2V @ 250µA
供应商设备封装	I-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	8.4 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.3W
标准包装	75
漏极至源极电压（Vdss）	25V
输入电容（Ciss ） @ VDS	1400pF @ 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS	16nC @ 5V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

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