图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 NTD4857N |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Sept/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.7 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1960pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 1.31W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
NTD4857NT4G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
