NTD32N06-001

产品描述

MOSFET 60V 32A N-Channel

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规格书	NTD32N06
文档	Multiple Devices 06/Oct/2006
产品更改通知	Product Obsolescence 06/Oct/2006
标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	32A
Rds（最大）@ ID，VGS	26 mOhm @ 16A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	60nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1725pF @ 25V
功率 - 最大	1.5W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装	I-Pak
包装材料	Tube;;其他的名称；
产品种类	MOSFET
RoHS	No
晶体管极性	N-Channel
漏源击穿电压	60 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	32 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.026 Ohms
配置	Single
最高工作温度	+ 175 C
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	SOD-123
封装	Tube
下降时间	93 ns
正向跨导gFS （最大值/最小值）	21.1 S
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	93.75 W
上升时间	84 ns
工厂包装数量	75
典型关闭延迟时间	31 ns
寿命	Obsolete
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	32A (Ta)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
供应商设备封装	I-Pak
其他名称	NTD32N06-001OS
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	26 mOhm @ 16A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.5W
标准包装	75
漏极至源极电压（Vdss）	60V
输入电容（Ciss ） @ VDS	1725pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	60nC @ 10V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

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