图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MUN5130T1G 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased 100mA 50V BRT PNP

内部编号

277-MUN5130T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:300000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MUN5130T1G产品详细规格

规格书 MUN5130T1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 1k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 1k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 3 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 -
功率 - 最大 202mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 SC-70-3 (SOT323)
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 SC-70
标准包装名称 SOT-323
最小直流电流增益 3@5mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
典型输入电阻 1
引脚数 3
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 0.25@5mA@10mA
最大功率耗散 310
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
配置 Single
类型 PNP
典型电阻器比率 1
铅形状 Gull-wing

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