#1 |
数量:20000 |
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最小起订量:1 泰国曼谷 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:14000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:1976 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
TN0604 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | * |
安装类型 | * |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.6V @ 1mA |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 750 mOhm @ 1.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 740mW |
标准包装 | 2,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 700mA (Tj) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 190pF @ 20V |
工厂包装数量 | 2000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
晶体管极性 | N-Channel |
通道模式 | Enhancement |
品牌 | Microchip Technology |
Id - Continuous Drain Current | 700 mA |
安装风格 | Through Hole |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
技术 | Si |
RoHS | RoHS Compliant |
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