图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
TN0106 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | * |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 500µA |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 350mA (Tj) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 60pF @ 25V |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 宽度 | 4.19 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | FET |
| 下降时间 | 3 ns |
| 品牌 | Microchip Technology |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 350 mA |
| 长度 | 5.21 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 5.33 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 典型导通延迟时间 | 2 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 上升时间 | 3 ns |
| 技术 | Si |
TN0106N3-G也可以通过以下分类找到
TN0106N3-G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
