规格书 |
TN0106 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | * |
安装类型 | * |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 500µA |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1W |
标准包装 | 1,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 350mA (Tj) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 60pF @ 25V |
工厂包装数量 | 1000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
晶体管极性 | N-Channel |
宽度 | 4.19 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
类型 | FET |
下降时间 | 3 ns |
品牌 | Microchip Technology |
通道数 | 1 Channel |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 350 mA |
长度 | 5.21 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 6 ns |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 5.33 mm |
安装风格 | Through Hole |
典型导通延迟时间 | 2 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
上升时间 | 3 ns |
技术 | Si |
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