图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
工厂包装数量 | 2000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
封装/外壳 | TO-92-3 |
下降时间 | 3 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | Microchip Technology |
通道数 | 1 Channel |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 350 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.5 Ohms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 6 ns |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Reel |
典型导通延迟时间 | 2 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
上升时间 | 3 ns |
技术 | Si |
TN0106N3-G P002相关搜索
咨询QQ
热线电话