TN0106N3-G P002

产品描述

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

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美国加州
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工厂包装数量	2000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
晶体管极性	N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
封装/外壳	TO-92-3
下降时间	3 ns
安装风格	Through Hole
产品	MOSFET Small Signal
品牌	Microchip Technology
通道数	1 Channel
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	350 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	4.5 Ohms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	6 ns
通道模式	Enhancement
封装	Reel
典型导通延迟时间	2 ns
最低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	1 W
上升时间	3 ns
技术	Si

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